Name: XP3P010M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P010MTR-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

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XP3P010M
Codice DigiKey	5048-XP3P010MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P010MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P010MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P010M
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 13,3 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 12A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP3P010	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54.4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6080 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.16464	Fr. 493.92
6’000	Fr. 0.16076	Fr. 964.56

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.78913

XP3P010M