Name: XP3P020M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P020MTR-ND
Price: 0.57293 CHF
Availability: InStock

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XP3P020M
Codice DigiKey	5048-XP3P020MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P020MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P020MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P020M
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9,3 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3P020
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2080 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Nastrato in bobina (TR)