Name: XP3P050AM
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P050AMTR-ND
Price: 0.38916 CHF
Availability: InStock

Canale P 30 V 5,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO

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XP3P050AM
Codice DigiKey	5048-XP3P050AMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P050AMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P050AMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P050AM
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 5,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3P050A
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	960 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.36000	Fr. 0.36
10	Fr. 0.22000	Fr. 2.20
100	Fr. 0.13860	Fr. 13.86

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.07254	Fr. 217.62
6’000	Fr. 0.06572	Fr. 394.32
9’000	Fr. 0.06224	Fr. 560.16
15’000	Fr. 0.05881	Fr. 882.15

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.38916

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