Name: XP3P080N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P080NTR-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: InStock

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XP3P080N
Codice DigiKey	5048-XP3P080NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P080NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P080NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P080N
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 3,2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3P080
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1296 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)