Canale N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Foro passante TO-220CFM
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Canale N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Foro passante TO-220CFM
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP65SL190DI

Codice DigiKey
5048-XP65SL190DI-ND
Produttore
Codice produttore
XP65SL190DI
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 20 A (Tc) 1,92W (Ta), 34,7W (Tc) Foro passante TO-220CFM
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 6,2A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
92.8 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3312 pF @ 100 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,92W (Ta), 34,7W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220CFM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.63000Fr. 2.63
50Fr. 1.31920Fr. 65.96
100Fr. 1.19210Fr. 119.21
500Fr. 1.03190Fr. 515.95
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.63000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.84303