XP6677GH YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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XP6677GH
Codice DigiKey	5048-XP6677GHTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP6677GHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP6677GHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP6677GH
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 60 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP6677
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12,3mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5050 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	69W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63