Name: XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R4CXTTR-ND
Price: 2.62683 CHF
Availability: InStock

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XP6NA1R4CXT
Codice DigiKey	5048-XP6NA1R4CXTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP6NA1R4CXTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP6NA1R4CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP6NA1R4CXT
Descrizione	FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 44,6A (Ta), 100A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,45mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie XP6NA1R4C	Carica del gate (Qg) max a Vgs 195 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11520 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 113,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 44,6A (Ta), 100A (Tc)	Contenitore del fornitore PMPAK® 5 x 6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.84530	Fr. 2’535.90

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.62683

XP6NA1R4CXT