Name: XP6NA1R7CMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R7CMTTR-ND
Price: 2.20524 CHF
Availability: InStock

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XP6NA1R7CMT
Codice DigiKey	5048-XP6NA1R7CMTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP6NA1R7CMTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP6NA1R7CMTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP6NA1R7CMT
Descrizione	FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 41,6A (Ta), 190A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie XP6NA1R7C	Carica del gate (Qg) max a Vgs 160 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8800 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 41,6A (Ta), 190A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.66468	Fr. 1’994.04

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.04000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.20524

XP6NA1R7CMT