XP9565GEM YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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YAGEO XSEMI

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XP9565GEM
Codice DigiKey	5048-XP9565GEMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP9565GEMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP9565GEMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP9565GEM
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 6,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP9565
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	38mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1570 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)