T9MOSFETs-LG

Automotive Trench 9 MOSFETs

Nexperia

This presentation will explain the benefits of the Trench 9 technology including the product power density, surviving application fault tolerance, and improving efficiency of MOSFETs in parallel in high power applications.

Related Parts

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561499 - Immediatamente$4.10Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56600 - Immediatamente$2.23Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561250 - Immediatamente$3.14Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561400 - Immediatamente$1.95Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK563050 - Immediatamente$1.66Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561556 - Immediatamente$2.14Vedi i dettagli
PTM Published on: 2018-03-01

Related Videos

New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)
New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)

Data di pubblicazione: 2017-11-20

Related Product Highlight

MOSFET LFPAK88 per automotive I MOSFET LFPAK88 di Nexperia per il settore automotive con un ingombro di 8 x 8 mm hanno un design del contenitore avanzato che supera di 2 volte i requisiti AEC-Q101.
MOSFET automotive Trench 9 I MOSFET di potenza Trench 9 di Nexperia combinano la tecnologia di supergiunzione a bassa tensione con capacità di packaging avanzate per offrire alte prestazioni e robustezza.
MOSFET Trench 9 da 40 V I MOSFET di potenza Trench 9 di Nexperia combinano la tecnologia di supergiunzione a bassa tensione con capacità di packaging avanzate.

Related Articles and Blogs

Massimizzare la densità di potenza e le prestazioni con due MOSFET in applicazioni con convertitori a commutazione Considerazioni sulla progettazione termica di circuiti e PCB, sulla simulazione elettrotermica e sull'analisi delle perdite per ottimizzare la densità di potenza e le prestazioni dei MOSFET.