Isolatori - Gate driver

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Stato del prodotto
Tecnologia
N. di canali
Tensione - Isolamento
Immunità ai transitori di modo comune (min)
Ritardo di propagazione tpLH/tpHL (max)
Distorsione larghezza di impulso (max)
Tempo di salita/discesa (tip.)
Corrente - Uscita alta, bassa
Current - Uscita di picco
Tensione - Diretta (Vf) (tip.)
Tensione - Erogazione uscita
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
Ente di approvazione
FOD8316V
OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO
onsemi
841
In magazzino
1 : Fr. 4.23000
Tubo
-
Tubo
Attivo
Accoppiamento ottico
1
4243Vrms
35kV/µs
500ns, 500ns
300ns
34ns, 34ns
2,5A, 2,5A
3A
-
15 ~ 30V
-40°C ~ 100°C
A montaggio superficiale
16-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)
16-SO
UL
FOD8316V
OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO
onsemi
750
In magazzino
24’750
Fabbrica
1 : Fr. 4.98000
Nastro pre-tagliato (CT)
750 : Fr. 2.63448
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Accoppiamento ottico
1
4243Vrms
35kV/µs
500ns, 500ns
300ns
34ns, 34ns
2,5A, 2,5A
3A
-
15 ~ 30V
-40°C ~ 100°C
A montaggio superficiale
16-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)
16-SO
UL
FOD8316V
OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO
onsemi
0
In magazzino
2’000
Fabbrica
Verifica i tempi di consegna
1 : Fr. 4.98000
Tubo
-
Tubo
Attivo
Accoppiamento ottico
1
4243Vrms
35kV/µs
500ns, 500ns
300ns
34ns, 34ns
2,5A, 2,5A
3A
-
15 ~ 30V
-40°C ~ 100°C
A montaggio superficiale
16-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)
16-SO
IEC/EN/DIN, UL
FOD8316V
OPTOISO 4.243KV 1CH GT DVR 16SO
onsemi
0
In magazzino
3’750
Fabbrica
Verifica i tempi di consegna
1 : Fr. 4.98000
Nastro pre-tagliato (CT)
750 : Fr. 2.63448
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
Accoppiamento ottico
1
4243Vrms
35kV/µs
500ns, 500ns
300ns
34ns, 34ns
2,5A, 2,5A
3A
-
15 ~ 30V
-40°C ~ 100°C
A montaggio superficiale
16-SOIC (larghezza 0,295", 7,50mm)
16-SO
IEC/EN/DIN, UL
Visualizzati
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Isolatori - Gate driver


I gate driver per isolatori sono interfacce tra i segnali di alimentazione e un circuito esterno con architettura a ponte o MOSFET. Le tecnologie utilizzate sono: accoppiamento capacitivo, accoppiamento magnetico e accoppiamento ottico con 1, 2 o 4 canali. L'isolamento della tensione va da 1000 a 7500 Vrms e il ritardo di propagazione da 30 ns a 5 ms.