La DRAM sincrona a doppia velocità dati 3 (SDRAM DDR3L) CMOS ad alta velocità e bassa tensione monolitica AS4C512M16D3L di Alliance Memory è disponibile in contenitore FBGA a 96 sfere, 9x14 mm, senza piombo con densità di 8 GB. Con minime riduzioni del die, il dispositivo a singolo die fornisce un affidabile sostituto drop-in compatibile a livello di pin per una serie di soluzioni simili utilizzato in combinazione con i microprocessori della generazione più recente per applicazioni industriali, medicali, di rete, telco e applicazioni aerospaziali, eliminando la necessità di costose riprogettazioni e riqualificazione del componente. Questo modulo DDR3L da 8 GB è una scelta logica per applicazioni che richiedono una maggiore quantità di memoria ma sono soggette a vincoli di spazio su scheda.
| Caratteristiche e vantaggi |
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- Disponibile nel contenitore FBGA a 96 sfere, 9x14 mm, senza piombo
- Silicio allo stato dell'arte, fornito da Micron Technology
- Velocità di trasferimento estremamente veloci fino a 1600 Mbps/pin e frequenze di clock di 800 MHz
- Disponibile negli intervalli di temperatura commerciale esteso (da -40 a + 95 °C) e industriale (da 0 a +95 °C)
- Internamente configurato come otto banchi di 64 M x 16 bit (parametro 512 M x 16)
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- Funzionamento con una singola alimentazione a +1,35 V
- Funzionamento completamente sincrono
- Durate di burst in lettura o scrittura programmabili di 4 o 8
- La funzione di precarica automatica fornisce una precarica auto-temporizzata delle righe che si avvia al termine della sequenza di burst
- Le funzioni di aggiornamento facili da usare includono l'aggiornamento automatico
- Il registro di modalità programmabile consente al sistema di scegliere le modalità più adatte per massimizzare le prestazioni
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