CI eGaN® EPC2112/EPC2115

I CI eGaN EPC2112/EPC2115 di EPC sono progettati per convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza e alimentazione wireless risonante

Immagine dei CI eGaN EPC2112 e EPC2115 di EPCLe soluzioni integrate monolitiche basate su GaN di EPC offrono ai progettisti di sistemi di alimentazione la possibilità di aumentare l'efficienza, pur mantenendo un ingombro ridotto.

EPC2112 è un FET eGaN a 200 V, 40 mΩ che integra un gate driver.

EPC2115 è un circuito integrato con due FET eGaN a 150 V, 70 mΩ e gate driver.

Caratteristiche
  • Capacità di alta frequenza
    • L'integrazione monolitica elimina le induttanze di interconnessione per una maggiore efficienza alle frequenze superiori
    • In grado di funzionare fino a 7 MHz
  • Ingombro compatto
    • Die passivato a bassa induttanza, molto piccolo, per montaggio superficiale BGA di 2,9 x 1,1 mm
Applicazioni
 
  • Convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza
 
  • Alimentazione wireless risonante
Data di pubblicazione: 2018-05-04