MOSFET CoolSiC™ discreto G2 da 1.400 V in contenitore a rifusione TO-247PLUS-4

I MOSFET discreti di Infineon offrono un approccio innovativo alla gestione dell'alimentazione

Immagine del MOSFET CoolSiC™ discreto G2 da 1400 V di Infineon in contenitore a rifusione TO-247PLUS-4Il MOSFET CoolSiC discreto da 1.400 V e 8 mΩ di Infineon in un contenitore a rifusione TO-247PLUS-4 è un dispositivo ad alte prestazioni progettato per applicazioni impegnative quali la ricarica dei veicoli elettrici, i sistemi di immagazzinaggio dell'energia e i veicoli autonomi. È dotato dei più recenti progressi della tecnologia dei MOSFET CoolSiC G2 da 1.400 V, che garantisce un'eccezionale gestione termica, una maggiore densità di potenza e una migliore affidabilità. Il dispositivo ha un design del contenitore compatibile con la rifusione che supporta fino a tre cicli di saldatura a rifusione, con conseguente riduzione della resistenza termica e miglioramento dell'efficienza complessiva del sistema. Le caratteristiche principali includono alta tensione nominale, bassa resistenza nello stato On e funzionalità avanzate di gestione termica. Grazie alla combinazione unica di potenza, efficienza e affidabilità elevate, questo dispositivo è la scelta ideale per le applicazioni ad alta potenza, in grado di offrire prestazioni di sistema migliori e perdite di energia ridotte.

Caratteristiche
  • VDSS: 1.400 V a Tvj = +25 °C
  • IDCC: 188 A a TC = +100 °C
  • RDSon: 5,8 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = +25 °C
  • Bassissima perdita di commutazione
  • Retro del contenitore saldabile a rifusione per 3 volte
  • Funzionamento in sovraccarico fino a Tvj = +200 °C
 
  • Resistenza ai cortocircuiti 2 µs
  • Tensione di soglia del gate di benchmark 4,2 V
  • Robusto contro l'attivazione parassita
  • Body diode robusto per hard-switching
  • Tecnologia di interconnessione XT
  • Contenitore con pin di alimentazione larghi (2 mm)
Vantaggi
  • Maggiore densità di potenza
  • Maggiore potenza di uscita del sistema
  • Migliore efficienza complessiva
  • Robustezza contro i sovraccarichi transitori
 
  • Robustezza contro le condizioni di valanga
  • Robustezza contro l'effetto di Miller
  • Facilità di progettazione del sistema
  • Facilità di collegamento in parallelo
Applicazioni
  • Immagazzinaggio dell'energia a batteria (BESS)
  • Ricarica EV
 
  • Azionamenti di motori per uso generale

CoolSiC™ MOSFET Discrete 1,400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow Package

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
SIC DISCRETEIMYR140R008M2HXLSA1SIC DISCRETE0 - Immediatamente$28.67Vedi i dettagli
SIC DISCRETEIMYR140R019M2HXLSA1SIC DISCRETE170 - Immediatamente$13.70Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-11-17