MOSFET CoolSiC™ discreto G2 da 1.400 V in contenitore a rifusione TO-247PLUS-4
I MOSFET discreti di Infineon offrono un approccio innovativo alla gestione dell'alimentazione
Il MOSFET CoolSiC discreto da 1.400 V e 8 mΩ di Infineon in un contenitore a rifusione TO-247PLUS-4 è un dispositivo ad alte prestazioni progettato per applicazioni impegnative quali la ricarica dei veicoli elettrici, i sistemi di immagazzinaggio dell'energia e i veicoli autonomi. È dotato dei più recenti progressi della tecnologia dei MOSFET CoolSiC G2 da 1.400 V, che garantisce un'eccezionale gestione termica, una maggiore densità di potenza e una migliore affidabilità. Il dispositivo ha un design del contenitore compatibile con la rifusione che supporta fino a tre cicli di saldatura a rifusione, con conseguente riduzione della resistenza termica e miglioramento dell'efficienza complessiva del sistema. Le caratteristiche principali includono alta tensione nominale, bassa resistenza nello stato On e funzionalità avanzate di gestione termica. Grazie alla combinazione unica di potenza, efficienza e affidabilità elevate, questo dispositivo è la scelta ideale per le applicazioni ad alta potenza, in grado di offrire prestazioni di sistema migliori e perdite di energia ridotte.
- VDSS: 1.400 V a Tvj = +25 °C
- IDCC: 188 A a TC = +100 °C
- RDSon: 5,8 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = +25 °C
- Bassissima perdita di commutazione
- Retro del contenitore saldabile a rifusione per 3 volte
- Funzionamento in sovraccarico fino a Tvj = +200 °C
- Resistenza ai cortocircuiti 2 µs
- Tensione di soglia del gate di benchmark 4,2 V
- Robusto contro l'attivazione parassita
- Body diode robusto per hard-switching
- Tecnologia di interconnessione XT
- Contenitore con pin di alimentazione larghi (2 mm)
- Maggiore densità di potenza
- Maggiore potenza di uscita del sistema
- Migliore efficienza complessiva
- Robustezza contro i sovraccarichi transitori
- Robustezza contro le condizioni di valanga
- Robustezza contro l'effetto di Miller
- Facilità di progettazione del sistema
- Facilità di collegamento in parallelo
- Immagazzinaggio dell'energia a batteria (BESS)
- Ricarica EV
- Azionamenti di motori per uso generale
CoolSiC™ MOSFET Discrete 1,400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow Package
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IMYR140R008M2HXLSA1 | SIC DISCRETE | 0 - Immediatamente | $28.67 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | IMYR140R019M2HXLSA1 | SIC DISCRETE | 170 - Immediatamente | $13.70 | Vedi i dettagli |



