MOSFET di potenza automotive OptiMOS™ 7

Il MOSFET automotive OptiMOS 7 di Infineon Technologies è la tecnologia MOSFET di prossima generazione per le applicazioni automotive. Offre un'eccellente efficienza energetica, perdite di commutazione ridotte e maggiore affidabilità per le applicazioni ad alta corrente in contenitori compatti.

OptiMOS 7 di Infineon offre una tecnologia MOSFET che definisce uno standard di efficienza energetica, affidabilità e design compatto. Questa soluzione innovativa è stata progettata per soddisfare gli esigenti requisiti delle applicazioni automotive, il che ha consentito lo sviluppo di veicoli più efficienti, sostenibili e potenti. I contenitori innovativi e robusti di questa tecnologia sono dotati di un ingombro incredibilmente compatto, che la rende ideale per un'ampia gamma di sistemi automotive, dai gruppi propulsori elettrici ai sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS).

Sfruttando le capacità all'avanguardia di OptiMOS 7, i produttori automotive possono creare veicoli più efficienti, ecocompatibili ed economici, in grado di soddisfare le esigenze in continua evoluzione del settore. OptiMOS 7 è pronto a svolgere un ruolo cruciale nel plasmare il futuro del settore automotive, che si tratti di veicoli elettrici o ibridi o di sistemi di guida autonoma.

Caratteristiche

• L'impareggiabile efficienza energetica consente lo sviluppo di veicoli più efficienti e sostenibili, riducendo il consumo energetico e le emissioni
• La riduzione delle perdite di commutazione riduce al minimo lo spreco di energia, con una diminuzione della generazione di calore e un aumento complessivo dell'affidabilità del sistema
• L'aumento dell'area operativa sicura (SOA) per le applicazioni ad alta corrente consente di progettare sistemi più robusti e affidabili, anche in applicazioni esigenti ad alta corrente
• I contenitori innovativi e robusti con ingombri compatti consentono di progettare sistemi compatti, riducendo i requisiti di spazio e aumentando la flessibilità di progettazione
• L'eccellente R_DS(ON) di 0,39 mΩ offre una bassissima resistenza nello stato On, che consente una riduzione delle perdite di energia e una maggiore efficienza del sistema