Diodi a barriera di Schottky SiC serie DCK

La serie di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di IXYS, una tecnologia Littelfuse, ha una corrente di recupero inverso trascurabile, un'alta capacità di protezione dalla sovracorrente transitoria e una temperatura di funzionamento della giunzione massima di +175 °C.

I diodi a barriera di Schottky (SBD) SiC da 650 V (10 A e 20 A) e da 1200 V (10 A, 15 A, 20 A, 30 A e 40 A) in contenitori TO-220-2L, TO-247-2L e TO-247-3L serie DCK di IXYS, una tecnologia Littelfuse, sono disponibili in configurazioni a catodo singolo e comune. Gli SBD SiC di Littelfuse consentono ai sistemi elettronici di potenza di raggiungere una maggiore efficienza, alte frequenze di commutazione e una maggiore densità di potenza rispetto alle soluzioni basate sul silicio. Sono progettati con design avanzati per ridurre le perdite di potenza mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti. Questo li rende adatti ad applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta frequenza e ad alta efficienza, quali alimentatori a commutazione, inverter solari, inverter fotovoltaici, correzione del fattore di potenza, convertitori c.a./c.c. e comandi di motori, nonché le applicazioni in cui si desidera migliorare l'efficienza, l'affidabilità e la gestione termica.