MOSFET a commutazione ultrarapida al carburo di silicio (SiC) serie LSIC1MO120E

Littelfuse offre un MOSFET SiC a canale N in modalità potenziata, 1200 V, serie LSIC1MO120E

Immagine del MOSFET a commutazione ultrarapida al carburo di silicio (SiC) serie LSIC1MO120E0080 di LittelfuseIl MOSFET SiC serie LSIC1MO120E di Littelfuse offre una combinazione di bassa resistenza nello stato On e perdite di commutazione ultrabasse non disponibile nei tradizionali transistor di potenza di classe 1200 V. La robusta progettazione di questo primo MOSFET SiC accetta una più ampia gamma di applicazioni ad alte temperature. Dissipatori di calore più piccoli e una maggiore densità di potenza creano la maggiore efficienza e un filtro passivo più piccolo e una densità di potenza aumentata per frequenze di commutazione superiori. Il dispositivo ha un die di formato minore per tensione/corrente nominali.

Stato del MOSFET SiC: evoluzione del dispositivo, merito della tecnologia e prospettive commerciali

Caratteristiche
  • Elevatissime velocità di commutazione
  • Minori perdite di commutazione
  • Funzionamento ad alte temperature
  • Alte tensioni di blocco e bassa specifica resistenza nello stato On (proprietà del materiale SiC)
Applicazioni
  • Sistemi di conversione di potenza
  • Inverter solari
  • Alimentatori a commutazione
  • Sistemi UPS
  • Comandi di motori
  • Convertitori c.c./c.c. ad alta tensione
  • Caricabatterie

Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTensione drain/source (Vdss)Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °CQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-31200 V39 A (Tc)369 - Immediatamente$14.52Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-31200 V27 A (Tc)0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-31200 V22 A (Tc)2226 - Immediatamente
1350 - Scorte di fabbrica
$9.99Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2018-01-05