MOSFET a commutazione ultrarapida al carburo di silicio (SiC) serie LSIC1MO

I MOSFET SiC di IXYS: una tecnologia Littelfuse offrono un'eccezionale alternativa ai tradizionali dispositivi a transistor di potenza basati su Si. La struttura del dispositivo MOSFET consente minori perdite di commutazione per ciclo e una migliore efficienza a basso carico rispetto ai transistor bipolari a IGBT di pari valore. Le proprietà intrinseche del materiale consentono al MOSFET SiC di surclassare le sue controparti MOSFET Si in termini di tensione di blocco, resistenza specifica nello stato On e capacità di giunzione. La robusta progettazione di questi MOSFET SiC accetta una più ampia gamma di applicazioni ad alte temperature. Frequenze di commutazione più elevate consentono componenti dei filtri passivi più piccoli; perdite del dispositivo inferiori consentono dissipatori di calore più compatti. Insieme, queste caratteristiche consentono di migliorare l'efficienza del sistema e la densità di potenza. I dispositivi hanno dimensioni del die inferiori per tensione/corrente nominale e sono pertanto ideali per il controllo del comando motore, sistemi di conversione di potenza, inverter solari e altre applicazioni.

Risorse

• Alimentatore ausiliario da 60 W di Littelfuse
• Ottimizzazione dell'implementazione del dispositivo a ruota libera nei MOSFET SiC
• Catalogo dei prodotti a semiconduttore di potenza di Littelfuse