FET GaN e-mode

Assicurando flessibilità ottimale nei sistemi di potenza, i FET GaN e-mode di Nexperia sono ideali per applicazioni a bassa potenza a 650 V. Offrendo prestazioni di commutazione superiori grazie a valori QC e QOSS molto bassi, questi dispositivi migliorano l'efficienza della conversione di potenza c.a./c.c. e c.c./c.a. a 650 V, oltre a consentire significativi risparmi in termini di spazio e distinta base nei driver LED o nei comandi di motori micro servo e BLDC. Il portafoglio di Nexperia è composto da cinque FET GaN e-mode da 650 V con valori di RDSon compresi tra 80 mΩ e 190 mΩ, in contenitori DFN di 5 x 6 mm e DFN di 8 x 8 mm. Migliorano l'efficienza di conversione di potenza in applicazioni di comunicazioni dati/telecomunicazioni, ricarica consumer, solari e industriali ad alta tensione e bassa potenza (<650 V). Possono essere utilizzati anche per progettare motori c.c. brushless e azionamenti microserver di precisione con una coppia più elevata e una maggiore potenza.