Nexperia

MOSFET di potenza LFPAK56D

LFPAK56D di Nexperia inserisce due MOSFET in un unico contenitore robusto senza compromettere le prestazioni

Immagine dei MOSFET di potenza LFPAK56D di NexperiaConsentendo una densità ancora maggiore nell'ingombro Power-SO8, LFPAK56D di Nexperia inserisce due MOSFET in un unico robusto contenitore senza compromettere le prestazioni. La tecnologia della clip in rame all'avanguardia di Nexperia consente un'eccezionale gestione della corrente, una bassissima resistenza del contenitore, nonché robustezza e affidabilità eccezionali. È perfetto per le situazioni in cui lo spazio è limitato e sono richieste prestazioni di potenza. Offerto per applicazioni automotive (AEC-Q101) e industriali.

Caratteristiche
  • Clip in rame per bassi livelli di induttanza e resistenza del contenitore
  • Alto ID max fino a 40 A per canale
  • Conduttori flessibili per una maggiore affidabilità
  • I conduttori esposti agevolano l'ispezione ottica
  • Connessioni di scarico separate
  • Alta robustezza ai transitori di corrente
  • Livello logico e standard
Applicazioni
  • Protezione batteria
  • Comandi di motori a spazzole
  • Comandi di motori BLDC
  • Alimentatori c.c./c.c.
  • Commutazione del carico
  • Automazione
  • Comandi ventola
  • Stampanti

LFPAK56D Power MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56DPSMN014-40HLDXMOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D2950 - Immediatamente$1.75Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DPSMN8R5-40HSXMOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D90 - Immediatamente$2.12Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56DPSMN014-60HSXMOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D1702 - Immediatamente$1.74Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56DPSMN038-100HSXMOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D0 - Immediatamente$1.74Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56DPSMN045-100HLXMOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D0 - Immediatamente$1.72Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DPSMN8R0-40HLXMOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D0 - Immediatamente$1.73Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56DPSMN6R8-40HSXMOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D54 - Immediatamente$2.42Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56DPSMN028-100HSXMOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D100 - Immediatamente$2.46Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56DPSMN013-60HSXMOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D1505 - Immediatamente$2.46Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56DPSMN013-60HLXMOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D85 - Immediatamente$2.50Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56DPSMN012-60HLXMOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D0 - Immediatamente$2.01Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56DPSMN6R1-40HLXMOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D0 - Immediatamente$2.02Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56DPSMN033-100HLXMOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D78 - Immediatamente$2.51Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56DPSMN025-100HSXMOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D40 - Immediatamente$2.62Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56DPSMN9R3-60HSXMOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D0 - Immediatamente$2.10Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56DPSMN011-60HLXMOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D0 - Immediatamente$2.13Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56DPSMN029-100HLXMOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D1485 - Immediatamente$3.14Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2023-05-11

Related Product Highlight

MOSFET a canale N ad alte prestazioni serie PSMN per una gestione efficiente dell'alimentazione I MOSFET a canale N serie PSMN di Nexperia offrono opzioni di pilotaggio del gate di livello logico e standard, garantendo la flessibilità necessaria per soddisfare i diversi requisiti di progettazione.
MOSFET a canale N ad alte prestazioni Gli ASFET PSMN047-100NSE/PSMN071-100NSE avanzati a canale N di Nexperia sono caratterizzati da solide capacità di gestione termica e da un'alta efficienza per un'ampia gamma di applicazioni.

Related Articles and Blogs

Massimizzare la densità di potenza e le prestazioni con due MOSFET in applicazioni con convertitori a commutazione Considerazioni sulla progettazione termica di circuiti e PCB, sulla simulazione elettrotermica e sull'analisi delle perdite per ottimizzare la densità di potenza e le prestazioni dei MOSFET.