Questi MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Nexperia sono progettati per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni. Questi MOSFET utilizzano la tecnologia TrenchMOS per offrire prestazioni e affidabilità superiori. Sono disponibili in contenitori compatti LFPAK56 e LFPAK88, che li rendono ideali per progetti con vincoli di spazio. Grazie a caratteristiche quali alta corrente di drain di picco, bassa RDSon e alta temperatura di funzionamento della giunzione, questi MOSFET sono adatti a un'ampia gamma di applicazioni, quali il raddrizzamento sincrono, i convertitori c.c./c.c., il controllo dei motori e i sistemi di gestione dell'alimentazione. La serie PSMN offre opzioni di pilotaggio del gate di livello sia logico che standard, garantendo la flessibilità necessaria per soddisfare i diversi requisiti di progettazione. Questi MOSFET sono inoltre qualificati fino a +175 °C, per assicurare prestazioni robuste in ambienti difficili.
Caratteristiche
- ASFET a canale N
- Tensione massima di drain-source pari a 100 V
- Bassa RDSon di 53 mΩ (PSMN047-100NSE)
- Bassa RDSon di 82 mΩ (PSMN071-100NSE)
- SOA migliorato
- Contenitore DFN2020 compatto
- Dimensioni del 60% inferiori rispetto al contenitore LFPAK33
- Basse perdite di conduzione I2R
- Bassissima dispersione IDSS
- Capacità PoE ad alta potenza (60 W o superiore)
- Interruttore di carico con tolleranza ai guasti
- Gestione efficiente della corrente di inserzione
- Idonei per le applicazioni di eFuse
- Sostituzione affidabile di relè
- Solida gestione termica
Applicazioni
- Sistemi PoE
- Soluzioni IEEE802.3at e PoE proprietarie
- Gestione della corrente di inserzione
- Applicazioni eFuse
- Sistemi di gestione delle batterie
- Sostituzione di relè
- Hotspot Wi-Fi®
- Picocelle 5G
- Impianti CCTV
- Interruttori di carico ad alta potenza
- Automazione industriale
- Apparecchiature per telecomunicazioni
- Data center
- Infrastrutture di rete
- Prodotti elettronici consumer
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Questi MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Nexperia sono progettati per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni. Questi MOSFET utilizzano la tecnologia TrenchMOS per offrire prestazioni e affidabilità superiori. Sono disponibili in contenitori compatti LFPAK56 e LFPAK88, che li rendono ideali per progetti con vincoli di spazio. Grazie a caratteristiche quali alta corrente di drain di picco, bassa RDSon e alta temperatura di funzionamento della giunzione, questi MOSFET sono adatti a un'ampia gamma di applicazioni, quali il raddrizzamento sincrono, i convertitori c.c./c.c., il controllo dei motori e i sistemi di gestione dell'alimentazione. La serie PSMN offre opzioni di pilotaggio del gate di livello sia logico che standard, garantendo la flessibilità necessaria per soddisfare i diversi requisiti di progettazione. Questi MOSFET sono inoltre qualificati fino a +175 °C, per assicurare prestazioni robuste in ambienti difficili.
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