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Diodi al carburo di silicio EliteSiC a 1700 V

I diodi di onsemi offrono caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche

Immagine dei diodi al carburo di silicio (SiC) a 1700 V di onsemiI diodi Schottky EliteSiC a 1700 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del SiC la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, alta frequenza operativa, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Caratteristiche
  • Facilità di collegamento in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa caduta di tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP
Applicazioni
  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

1700 V EliteSiC Diodes

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472134 - Immediatamente$14.03Vedi i dettagli

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IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Immediatamente
114000 - Scorte di fabbrica		$4.58Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2020-04-02

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