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Diodi al carburo di silicio a 650 V EliteSiC

I diodi onsemi offrono eccellenti prestazioni di commutazione e alta affidabilità

Immagine dei diodi al carburo di silicio a 650 V di onsemiI diodi Schottky al carburo di silicio (EliteSiC) di onsemi utilizzano una tecnologia che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche fanno del carburo di silicio la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, una frequenza operativa più alta, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi ridotti del sistema.

Caratteristiche
  • Facile da collegare in parallelo
  • Capacità di corrente ad alte sovratensioni
  • Temperatura di giunzione max: +175 °C
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Coefficiente di temperatura positivo
  • Qualificati AEC-Q101 con supporto PPAP
Applicazioni
  • Convertitori c.c./c.c. HEV-EV per automotive
  • Caricatori di bordo HEV-EV per automotive
  • Alimentazione industriale
  • PFC
  • Solare
  • UPS
  • Saldatura

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ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
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DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2633 - Immediatamente
5000 - Scorte di fabbrica		$5.17Vedi i dettagli
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Immediatamente$4.87Vedi i dettagli
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Immediatamente
114000 - Scorte di fabbrica		$4.58Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2019-11-06

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