Inverter solare

Nelle applicazioni ad alta potenza, gli IGBT sono ancora la scelta preferita perché offrono prestazioni eccezionali nella gestione di corrente e tensione elevate. Lo svantaggio principale degli IGBT è la loro minore velocità di commutazione, che non è così importante per gli inverter solari. onsemi offre sia IGBT discreti che soluzioni di moduli più integrati. Field Stop7 è la nuova famiglia di IGBT a 1200 V, ottimizzata per avere basse perdite di conduzione.

I dispositivi al carburo di silicio sono più utili per tensioni più elevate rispetto ai tradizionali MOSFET al silicio, riducendo le perdite di conduzione. Le soluzioni di inverter SiC presentano perdite inferiori rispetto alle soluzioni IGBT. I MOSFET SiC possono essere commutati più velocemente, il che contribuisce a ridurre le dimensioni dei dispositivi passivi, in particolare degli induttori. D'altra parte, il sistema SiC completo richiede una progettazione del sistema completamente nuova che aumenta ulteriormente i costi. La nuova famiglia di MOSFET SiC da 1200 V (M3S) è ottimizzata per il funzionamento ad alte temperature e vanta una RDSon molto bassa di appena 22 mΩ, se pilotata da 18 V.

onsemi offre moduli IGBT o SiC con varie topologie, tra cui semiponte o addirittura un A-NPC a tre livelli intero in un unico contenitore. L'utilizzo di moduli di alimentazione offre molti vantaggi, tra cui proprietà termiche migliorate, una riduzione delle dimensioni del sistema e una riduzione del tempo di immissione sul mercato. Questi moduli possono essere utilizzati con potenze comprese tra decine e centinaia di kilowatt.