MOSFET SGT Gen.2 per convertitori c.c./c.c.

Il MOSFET SGT (Shielded-Gate Trench) di seconda generazione di PANJIT, con un'eccellente cifra di merito (FOM), offre soluzioni di progettazione efficienti per le topologie di convertitori c.c./c.c. in moduli brick. La serie SGT da 100 V è disponibile in 18 componenti standard e 17 di livello logico. La tecnologia dei wafer di PANJIT consente ai MOSFET SGT Gen.2 di generare una bassa carica del gate e RDSon per ridurre al minimo le perdite di conduzione e creare un'eccellente FOM per ottimizzare l'efficienza di varie topologie.

Grazie alle eccezionali prestazioni di efficienza del sistema e alle caratteristiche del prodotto, il MOSFET SGT Gen.2 è un'opzione ottimale per i convertitori c.c./c.c.. Il convertitore c.c./c.c. è un sistema di conversione di potenza ampiamente applicato ai dispositivi industriali, come le telecomunicazioni o l'alimentazione industriale. L'applicazione richiede efficienza e affidabilità estremamente elevate, che i MOSFET SGT Gen.2 sono in grado di fornire in quanto ottimizzati per applicazioni ad alta commutazione.

La serie SGT Gen.2 è disponibile in diverse opzioni di dimensioni e contenitore per essere completamente adattabile a tutte le dimensioni di brick e le applicazioni; le dimensioni disponibili includono half-brick, quarter-brick, eighth-brick, sixteenth-brick e thirty-second-brick. I contenitori disponibili includono DFN5060 e DFN3333. I MOSFET SGT di seconda generazione di PANJIT offrono soluzioni di progettazione semplici ed efficienti per sistemi di convertitori c.c./c.c., nonché per varie applicazioni di LLC, PSFB, circuiti buck sincroni e sistemi automotive a 48 V_c.c./c.c. che richiedono MOSFET a bassa FOM e alta tensione.