MOSFET a canale N automotive da 60 V/100 V/150 V

I MOSFET di potenza a canale N da 60 V, 100 V e 150 V di PANJIT sono progettati con una tecnologia Trench avanzata per stabilire nuovi standard di prestazioni ed efficienza. Progettati per i sistemi di alimentazione sia automotive che industriali, questi MOSFET offrono una cifra di merito (FOM) senza precedenti, una RDSon significativamente più bassa e una capacità elettrica ridotta. Questo assicura perdite di conduzione e di commutazione minime, migliorando le prestazioni elettriche complessive.

Questa serie di MOSFET è disponibile in vari contenitori: DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA e TO-220AB-L. Questi contenitori compatti agevolano la progettazione di soluzioni efficienti per i moderni sistemi elettronici. Con una temperatura di funzionamento della giunzione fino a +175 °C, questi MOSFET sono robusti e affidabili, come dimostra anche la loro qualifica AEC-Q101.

Questi MOSFET sono ideali per varie applicazioni automotive, quali trasmettitori di carica wireless, sistemi di gestione delle batterie, sistemi di illuminazione frontale e posteriore, convertitori c.c./c.c., sistemi di infotainment e altre. La bassa resistenza nello stato On e l'alta efficienza migliorano le prestazioni e l'affidabilità di questi sistemi. Inoltre, la loro versatilità si estende ai sistemi di potenza industriali, ampliando il loro range di applicabilità e utilità.