STMicroelectronics

MOSFET di potenza a bassa tensione (30 V) serie STripFET™ H7

STMicroelectronics offre la serie di MOSFET di potenza a bassa tensione STripFET H7 con bassissima resistenza nello stato On e capacitanza ultrabassa

Immagine dei MOSFET di potenza serie STripFET™ H7 a bassa tensione (30 V) di STMicroelectronicsOttimizzati per i sistemi di gestione di potenza ad alta densità, alte prestazioni, la serie STripFET H7 di STMicroelectronics di MOSFET Trench-gate a bassa tensione (30 V) combina una bassissima resistenza nello stato On e capacitanza ultrabassa con un diodo Schottky incorporato ottimizzato per il funzionamento a frequenze di commutazione superiori in applicazioni quali inverter solari, schede madri e soluzioni telco. La serie STripFET H7 offre una resistenza nello stato On molto inferiore per superficie del die rispetto alle precedenti serie H5 e H6, caratteristica che a sua volta semplifica le esigenze dei progettisti per i progetti ad alta potenza, riducendo il numero di dispositivi in parallelo.

Caratteristiche

  • Bassissima resistenza nello stato On
  • Bassissimo QG
  • Elevata robustezza a valanga
Data di pubblicazione: 2015-06-26

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