STMicroelectronics

MOSFET di potenza

STMicroelectronics offre i MOSFET di potenza per ogni intervallo di tensione a supporto di applicazioni

Immagine dei MOSFET di potenza di STMicroelectronicsIl portafoglio di MOSFET di STMicroelectronics offre un ampio intervallo di tensioni di rottura da -500 a 1500 V, nonché bassa carica del gate e bassa resistenza nello stato On, il tutto unito a confezionamento allo stato dell'arte. La tecnologia di processo di ST per i MOSFET ad alta tensione (MDmesh™) e quelli a bassa tensione (StripFET™) ha potenziato le capacità di gestione della potenza, portando a realizzare soluzioni ad alta efficienza.

Le caratteristiche principali dell'ampio portafoglio sono le seguenti:
  • Intervallo tensione di rottura: -500 ~ 1500 V
  • Più di 30 opzioni di contenitore, tra cui TO247-4 a 4 conduttori, con un pin di controllo dedicato per una maggiore efficienza di commutazione, H2PAK per l'alta capacità di corrente e HV e VHV 5 x 6 PowerFLAT™ a montaggio superficiale di appena 1 mm di altezza con eccellenti prestazioni termiche grazie a una grande piazzola di assorbimento in metallo esposta
  • Carica del gate migliorata e dissipazione di potenza inferiore per soddisfare i difficili requisiti di efficienza odierni
  • Opzione di body diode veloce intrinseco per specifiche linee di prodotto
  • Ampio portafoglio di MOSFET di grado automotive
 Immagine del grafico dei MOSFET di potenza di STMicroelectronics

ST ha il MOSFET giusto per ogni progetto e per ogni intervallo di tensione, a supporto di applicazioni quali alimentatori a commutazione, illuminazione, convertitori c.c./c.c., controllo motori e applicazioni automotive.

Visualizza tutti i MOSFET di potenza di STMicroelectronics

Data di pubblicazione: 2016-12-30

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