LM5113 di Texas Instruments è progettato per pilotare FET high-side e low-side al nitruro di gallio (GaN) in modalità potenziata in una configurazione buck sincrona o a semiponte. Il circuito di pilotaggio high-side flottante è in grado di pilotare un FET GaN high-side in modalità potenziata fino a 100 V. La tensione di polarizzazione high-side viene generata utilizzando una tecnica di bootstrap ed è bloccata internamente a 5,2 V, che impedisce alla tensione di gate di superare la tensione di gate-source massima nominale dei FET GaN in modalità potenziata. Gli ingressi su LM5113 sono compatibile con la logica TTL e possono sopportare le tensioni di ingresso fino a 14 V, indipendentemente dalla tensione VDD. LM5113 presenta uscite di gate divise, per la flessibilità nella regolazione della forza di accensione e spegnimento in modo indipendente.
Inoltre, la sua forte capacità di assorbimento mantiene il gate in stato basso, impedendo l'attivazione accidentale durante la commutazione. LM5113 può funzionare fino a diversi MHz. LM5113 è disponibile in un contenitore WSON a 10 pin standard e un contenitore DSBGA a 12 bump. Il contenitore WSON a 10 pin contiene una piazzola esposta per facilitare la dissipazione di potenza. Il contenitore DSBGA offre un ingombro compatto e un'induttanza del contenitore ridotta al minimo.
| Caratteristiche |
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- Ingressi logici TTL indipendenti high-side e low-side
- Corrente source/drain di picco: 1,2 A/5 A
- Il rail di tensione di polarizzazione flottante high-side funziona fino a 100 Vc.c.
- Tenuta di tensione di alimentazione bootstrap interna
- Uscite divise per una forza regolabile di accensione e spegnimento
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- Resistenza di pull-down/pull-up: 0,6 Ω/2,1 Ω
- Tempi di propagazione veloci (28 ns tipici)
- Corrispondenza del ritardo di propagazione eccellente (1,5 ns tipici)
- Blocco di sottotensione del rail di alimentazione
- Basso consumo
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| Applicazioni |
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- Convertitori push-pull alimentati a corrente
- Convertitori a semiponte e a ponte intero
- Convertitori buck sincroni
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- Convertitori diretti a due interruttori
- Convertitori diretti con clamping attivo
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LM5113 di Texas Instruments è progettato per pilotare FET high-side e low-side al nitruro di gallio (GaN) in modalità potenziata in una configurazione buck sincrona o a semiponte. Il circuito di pilotaggio high-side flottante è in grado di pilotare un FET GaN high-side in modalità potenziata fino a 100 V. La tensione di polarizzazione high-side viene generata utilizzando una tecnica di bootstrap ed è bloccata internamente a 5,2 V, che impedisce alla tensione di gate di superare la tensione di gate-source massima nominale dei FET GaN in modalità potenziata. Gli ingressi su LM5113 sono compatibile con la logica TTL e possono sopportare le tensioni di ingresso fino a 14 V, indipendentemente dalla tensione VDD. LM5113 presenta uscite di gate divise, per la flessibilità nella regolazione della forza di accensione e spegnimento in modo indipendente.
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