Gate driver a canale singolo automotive LMG1025-Q1

Il driver FET GaN low-side in modalità potenziata a canale singolo e MOSFET a livello di logica LMG1025-Q1 di Texas Instruments è progettato per applicazioni automotive ad alta frequenza di commutazione. Il dispositivo offre capacità di larghezza di impulso ridotta, specifica di commutazione rapida e ridotta distorsione di impulso per migliorare significativamente le prestazioni di LiDAR, ToF e convertitore di potenza. La larghezza di impulso di uscita di 1,25 ns consente impulsi di diodo più potenti e sicuri per gli occhi. Questi impulsi combinati con una distorsione di 300 ns portano a sistemi LiDAR/ToF precisi e a più lungo raggio. Il driver offre un ritardo di propagazione di 2,9 ns che migliora significativamente il tempo di risposta dell'anello di controllo e le prestazioni complessive dei convertitori di potenza. L'uscita divisa consente di regolare in modo indipendente la forza e la temporizzazione di pilotaggio tramite resistori esterni tra OUTH, OUTL e gate FET.

Questo driver MOSFET è dotato di blocco di sottotensione (UVLO) e protezione da sovratemperatura (OTP) per garantire che il dispositivo non venga danneggiato in caso di sovraccarico o condizioni di guasto. LMG1025-Q1 è disponibile in un contenitore compatto, senza conduttori, qualificato AEC-Q100 per il settore automotive per soddisfare i requisiti di dimensioni e di induttanza ad anello del gate delle applicazioni automotive ad alta frequenza di commutazione.