La continua crescita del traffico dati, trainata da smartphone, dispositivi indossabili e applicazioni come la realtà virtuale e l'Internet delle cose (IoT), porta ad un aumento del numero di interfacce ad alta velocità che tipicamente richiedono la protezione da eventi ESD. Per soddisfare questa richiesta, Toshiba Electronics Europe ha introdotto i nuovi diodi di protezione ESD basati sul suo processo relativo agli array di diodi ESD di 4ª generazione (EAP-IV), che si avvale della tecnologia proprietaria snapback di Toshiba.
I dispositivi DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N e DF10G6M4N offrono protezione per le interfacce ad alta velocità, comprese le applicazioni USB 3.1. Una scelta di tensioni di funzionamento (3,6 e 5,5 V) e contenitori (SOD962 e DFN10) offre opzioni flessibili per la realizzazione di protezione ESD in una varietà di progetti.
Grazie al nuovo processo di Toshiba, i quattro dispositivi forniscono contemporaneamente bassa capacitanza, bassa resistenza dinamica e alta protezione dalle ESD. La minima distorsione dei segnali di dati ad alta velocità è garantita dalla bassissima capacitanza di 0,2 pF, mentre una resistenza dinamica tipica di RDIN=0,5 Ω assicura basse tensioni di tenuta all'impulso. Alti livelli di protezione ESD sono supportati poiché sono garantite tensioni di scarica elettrostatica di almeno ±20 kV, secondo IEC61000-4-2.
I dispositivi DF2BxM4SL sono particolarmente idonei per montaggio su PCB ad alta densità di componenti, poiché il contenitore SOD-962 richiede un ingombro di appena 0,62 x 0,32 mm e può essere collocato vicino ai CI che necessitano di protezione ESD. Per i tipi DF10GxM4N, il contenitore DFN10 può essere semplicemente posizionato sopra una linea bus a 4 bit. Questa progettazione flow-through supporta il semplice routing del bus sulla PCB, poiché non sono necessarie terminazioni aggiuntive per collegare singoli diodi TVS.
Toshiba offre anche una varietà di diodi ESD di basso costo per applicazioni meno esigenti, dalle velocità USB e HDMI alla protezione di porte audio e pulsanti.
| Caratteristiche (utilizzando DF2B6M4SL come esempio) |
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- Scarica (aria/contatto) IEC61000-4-2: ±20 kV / ±20 kV
- Bassa resistenza dinamica: RDIN=0.5 Ω
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- Bassa capacitanza: CT= 0,2 pF
- Piccolo contenitore SOD-962: 0,32 x 0,62 mm
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Applicazioni
- Elettronica di consumo
- Telefoni cellulari
- Accessori indossabili
- Router e hub
- Dispositivi elettronici a batteria
- Internet delle cose (IoT)
- Porte USB 2.0 / USB 3.0 / USB Type-C™
- Porte HDMI
- Porte HDMI 2.0
- Porte Ethernet
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La continua crescita del traffico dati, trainata da smartphone, dispositivi indossabili e applicazioni come la realtà virtuale e l'Internet delle cose (IoT), porta ad un aumento del numero di interfacce ad alta velocità che tipicamente richiedono la protezione da eventi ESD. Per soddisfare questa richiesta, Toshiba Electronics Europe ha introdotto i nuovi diodi di protezione ESD basati sul suo processo relativo agli array di diodi ESD di 4ª generazione (EAP-IV), che si avvale della tecnologia proprietaria snapback di Toshiba.
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