Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET di potenza a bassa tensione

I MOSFET di Toshiba sono disponibili in una varietà di tensioni e contenitori per soddisfare le applicazioni che richiedono una corrente più elevata

Immagine dei MOSFET di potenza a bassa tensione di ToshibaI MOSFET di potenza a bassa tensione (LVMOS) di Toshiba utilizzano i più recenti processi UMOS e sono disponibili in una varietà di tensioni e contenitori per soddisfare le applicazioni che richiedono una corrente più elevata. Questi processi sono fortemente incentrati sui MOSFET da 40 V a 150 V per i moderni rail di tensione come 12 V, 24 V, 48 V e 96 V.

Il processo UMOS offre diversi vantaggi, con l'ultimo UMOS X che si concentra sulla tensione di soglia e sul funzionamento ad alta temperatura (+175°C), oltre che sulla perdita di conduzione e di commutazione. Alcuni prodotti sono inoltre dotati di un diodo ad alta velocità, che riduce la carica di recupero inverso e la perdita di potenza associata durante la commutazione.

I prodotti LVMOS di Toshiba sono offerti in molti contenitori standard, quali quelli a lato singolo e doppio (SOP-Advance e DSOP-Advance) di 5 x 6 mm e il contenitore TSON-Advance più compatto di 3,3 x 3,3 mm.

Immagine del grafico di Toshiba 
Caratteristiche
  • Cifra di merito (FoM) migliorata
  • RDSon ridotta
  • Ridotte perdite di commutazione e di conduzione
  • Stretta tensione di soglia
  • Confezionamento standard del settore
Applicazioni
  • Alimentatori
  • Inverter
  • Convertitori c.c./c.c.
  • Prodotti industriali
  • Sistemi automotive da 12 a 24 V

100 V Low-Voltage Power MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOPTPH3R70APL,L1QMOSFET N-CH 100V 90A 8SOP4453 - Immediatamente$1.85Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOPTPW4R50ANH,L1QMOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP9352 - Immediatamente$2.74Vedi i dettagli
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOPTPH8R80ANH,L1QMOSFET N CH 100V 32A 8-SOP29237 - Immediatamente$1.96Vedi i dettagli

40 V Low-Voltage Power MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMXPQR3004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM669 - Immediatamente$5.75Vedi i dettagli
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZTPH1R204PL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ49 - Immediatamente$1.73Vedi i dettagli

60 V Low-Voltage Power MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPTPH2R506PL,L1QMOSFET N-CH 60V 100A 8SOP60584 - Immediatamente$1.70Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOPTPH11006NL,LQMOSFET N-CH 60V 17A 8SOP19154 - Immediatamente$1.09Vedi i dettagli

80 V Low-Voltage Power MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOPTPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP365 - Immediatamente$1.90Vedi i dettagli
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADVTPH4R008QM,LQPOWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV4957 - Immediatamente$1.48Vedi i dettagli
80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHMXPQR8308QB,LXHQ80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM0 - Immediatamente$4.58Vedi i dettagli

Single FETs MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOPTPH11006NL,LQMOSFET N-CH 60V 17A 8SOP19154 - Immediatamente$1.09Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSONTPN11006PL,LQMOSFET N-CH 60V 26A 8TSON3665 - Immediatamente$0.93Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSONTPN19008QM,LQMOSFET N-CH 80V 34A 8TSON13839 - Immediatamente$0.97Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 48A 8SOPTPH7R204PL,LQMOSFET N-CH 40V 48A 8SOP16905 - Immediatamente$0.93Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSONTPN2R304PL,L1QMOSFET N-CH 40V 80A 8TSON25546 - Immediatamente$1.06Vedi i dettagli
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSONTPN4R712MD,L1QMOSFET P-CH 20V 36A 8TSON10838 - Immediatamente$0.97Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSONTPN1R603PL,L1QMOSFET N-CH 30V 80A 8TSON30729 - Immediatamente$1.10Vedi i dettagli
MOSFET P-CH 40V 60A 8SOPXPH4R714MC,L1XHQMOSFET P-CH 40V 60A 8SOP7771 - Immediatamente$1.44Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-02-25

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