Diodi Schottky al carburo di silicio da 650 V

Vishay presenta i diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 650 V caratterizzati da un design MPS (Merged PIN Schottky). Questi dispositivi sono progettati per aumentare l'efficienza delle applicazioni ad alta frequenza riducendo le perdite di commutazione, indipendentemente dagli effetti delle variazioni di temperatura, consentendo ai dispositivi di funzionare a temperature più elevate. Il design Merged PIN Schottky dei dispositivi scherma il campo elettrico dalla barriera Schottky per ridurre le correnti di dispersione, aumentando al contempo la capacità di sovracorrente transitoria diretta tramite iniezione di lacune. Rispetto ai dispositivi Schottky in puro silicio, questi diodi gestiscono lo stesso livello di corrente con solo un leggero aumento della caduta di tensione diretta, dimostrando al contempo un grado di robustezza significativamente maggiore, fornendo ai progettisti una maggiore flessibilità nell'ottimizzazione del sistema. Sono offerti in contenitori 2L TO-220AC e TO-247AD 3L.