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AO4828 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1062-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AO4828 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10,5nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 540pF a 30V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 4,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FW297-TL-2W | onsemi | 0 | FW297-TL-2WOSTR-ND | Fr. 0.26528 | Simile |
| IRF7341TRPBF | Infineon Technologies | 13’240 | IRF7341PBFCT-ND | Fr. 1.07000 | Simile |
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | 4’288 | SH8K32GZETBCT-ND | Fr. 1.91000 | Simile |
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | Fr. 1.49000 | Simile |
| SI4900DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SI4900DY-T1-GE3CT-ND | Fr. 1.39000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.19989 | Fr. 599.67 |
| 6’000 | Fr. 0.18414 | Fr. 1’104.84 |
| 9’000 | Fr. 0.17611 | Fr. 1’584.99 |
| 15’000 | Fr. 0.16710 | Fr. 2’506.50 |
| 21’000 | Fr. 0.16176 | Fr. 3’396.96 |
| 30’000 | Fr. 0.15657 | Fr. 4’697.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.19989 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.21608 |






