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Scheda tecnica
8-SOIC
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FW297-TL-2W

Codice DigiKey
FW297-TL-2WOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
FW297-TL-2W
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 4,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FW297-TL-2W Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Gate livello logico, comando 4V
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
58mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750pF a 20V
Potenza - Max
1,8W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
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