FW297-TL-2W onsemi | Array FET, MOSFET

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Vishay Siliconix

In magazzino: 195

Prezzo unitario : Fr. 40.11000

Consigliato dal produttore

Rohm Semiconductor

In magazzino: 10’004

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : Fr. 8.84738

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FW297-TL-2W
Codice DigiKey	FW297-TL-2WOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FW297-TL-2W
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 4,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FW297-TL-2W Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,6V a 1mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750pF a 20V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 4V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A	Codice componente base FW297
RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 4,5A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI4900DY-T1-E3	Vishay Siliconix	195	SI4900DY-T1-E3CT-ND	Fr. 40.11000	Diretto
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	10’004	SH8K32TB1CT-ND	Fr. 48.72000	Consigliato dal produttore
DMNH6042SSD-13	Diodes Incorporated	0	DMNH6042SSD-13-ND	Fr. 8.84738	Simile

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