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AON6162 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AON6162-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AON6162 |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 100 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4850 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 20A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STL140N6F7 | STMicroelectronics | 3’180 | 497-15911-1-ND | Fr. 2.51000 | Simile |
| TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TPH2R608NHL1QCT-ND | Fr. 1.72000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.02393 | Fr. 3’071.79 |
| 6’000 | Fr. 1.01562 | Fr. 6’093.72 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.02393 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.10687 |
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