Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 2.25929 CHF
Availability: InStock

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TPH2R306NH,L1Q
Codice DigiKey	TPH2R306NHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH2R306NH,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60 A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH2R306NH,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6100 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta), 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6,5V, 10V	Codice componente base TPH2R306
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 30A, 10V