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Scheda tecnica
Canale N 100 V 34 A (Tc) 56,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
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Canale N 100 V 34 A (Tc) 56,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
8-DFN Top

AON6224

Codice DigiKey
AON6224-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AON6224
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 100V 34A 8DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 34 A (Tc) 56,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2420 pF @ 50 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
56,5W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-DFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AONS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.13’555785-1815-1-NDFr. 1.82000Simile
DMT10H015LCG-7Diodes Incorporated031-DMT10H015LCG-7CT-NDFr. 1.43000Simile
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage1’738TPN13008NHL1QCT-NDFr. 1.32000Simile
TPN1600ANH,L1QToshiba Semiconductor and Storage811TPN1600ANHL1QCT-NDFr. 1.16000Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.55424Fr. 1’662.72
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.55424
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.59913