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Canale N 30 V 12 A (Ta), 12 A (Tc) 3,1W (Ta), 20,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN-EP (3x3)
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AON7506

Codice DigiKey
AON7506-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AON7506
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 12 A (Ta), 12 A (Tc) 3,1W (Ta), 20,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN-EP (3x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.2 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
542 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 20,5W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-DFN-EP (3x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
9,8mohm a 12A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
CSD17579Q3ATexas Instruments0296-39998-1-NDFr. 0.79000Simile
CSD17579Q3ATTexas Instruments1’049296-38463-1-NDFr. 1.69000Simile
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated789DMG7430LFG-7DICT-NDFr. 0.61000Simile
PJQ4408P_R2_00001Panjit International Inc.2’2933757-PJQ4408P_R2_00001CT-NDFr. 0.70000Simile
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor4’256RQ3E100BNTBCT-NDFr. 0.61000Simile
Disponibile su ordinazione
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Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima. Visualizza Articoli sostitutivi.
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.13316Fr. 665.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.13316
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.14395