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Canale N 30 V 24 A (Tc) 4,1W (Ta), 24W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN-EP (3x3)
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AON7380

Codice DigiKey
AON7380-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AON7380
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 24 A (Tc) 4,1W (Ta), 24W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN-EP (3x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
825 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
4,1W (Ta), 24W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-DFN-EP (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
6,8mohm a 20A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
CSD17552Q3ATexas Instruments7’864296-34990-1-NDFr. 1.33000Simile
DMT3006LFG-13Diodes Incorporated0DMT3006LFG-13-NDFr. 0.25169Simile
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and Storage2’390TPH6R003NLLQCT-NDFr. 1.43000Simile
TPN6R003NL,LQToshiba Semiconductor and Storage2’724TPN6R003NLLQCT-NDFr. 1.38000Simile
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.13436Fr. 671.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.13436
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.14524