AOTF11S60L è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 37
Prezzo unitario : Fr. 1.73000
Scheda tecnica

Diretto


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 4.10000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’030
Prezzo unitario : Fr. 3.95000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 718
Prezzo unitario : Fr. 3.42000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.55000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 373
Prezzo unitario : Fr. 3.36000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.84000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’700
Prezzo unitario : Fr. 1.60000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 603
Prezzo unitario : Fr. 4.02000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’527
Prezzo unitario : Fr. 2.20000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 970
Prezzo unitario : Fr. 2.18000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 112
Prezzo unitario : Fr. 3.14000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.40360
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.53520
Scheda tecnica
Canale N 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Foro passante TO-220F
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

AOTF11S60L

Codice DigiKey
AOTF11S60L-ND
Produttore
Codice produttore
AOTF11S60L
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Foro passante TO-220F
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,1V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
545 pF @ 100 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
399mohm a 3,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (14)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage37TK11A65WS5X-NDFr. 1.73000Diretto
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0264-TK12A60W,S4VX-NDFr. 4.10000Diretto
FCPF400N80Zonsemi1’030FCPF400N80Z-NDFr. 3.95000Simile
FDPF17N60NTonsemi718FDPF17N60NTFS-NDFr. 3.42000Simile
IPAN80R360P7XKSA1Infineon Technologies0IPAN80R360P7XKSA1-NDFr. 2.55000Simile
Disponibile su ordinazione
Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.
Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima. Visualizza Articoli sostitutivi.
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.95872Fr. 958.72
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.95872
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.03638