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IPAN80R360P7XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPAN80R360P7XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPAN80R360P7XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 13A TO220 |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 13 A (Tc) 30W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPAN80R360P7XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 280µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 930 pF @ 500 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-FP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 360mohm a 5,6A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP12N65X2M | IXYS | 273 | IXFP12N65X2M-ND | Fr. 4.28000 | Simile |
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | Fr. 1.82193 | Simile |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | Fr. 1.73000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.55000 | Fr. 2.55 |
| 50 | Fr. 1.26700 | Fr. 63.35 |
| 100 | Fr. 1.14290 | Fr. 114.29 |
| 500 | Fr. 0.92520 | Fr. 462.60 |
| 1’000 | Fr. 0.85526 | Fr. 855.26 |
| 2’000 | Fr. 0.79647 | Fr. 1’592.94 |
| 5’000 | Fr. 0.73289 | Fr. 3’664.45 |
| 10’000 | Fr. 0.73119 | Fr. 7’311.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.55000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.75655 |










