Name: BSDH08G65E2
Brand: Bourns Inc.
SKU: 118-BSDH08G65E2-ND
Price: 2.9311 CHF
Availability: OutOfStock

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DSC08065

Diodes Incorporated

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Scheda tecnica

Equivalente parametrico

FFSP0665B

onsemi

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Scheda tecnica

Equivalente parametrico

IDH08G65C5XKSA1

Infineon Technologies

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 0.00000

Scheda tecnica

Equivalente parametrico

IDH08G65C5XKSA2

Infineon Technologies

In magazzino: 500

Prezzo unitario : Fr. 3.02000

Scheda tecnica

Equivalente parametrico

IDH09G65C5XKSA1

Infineon Technologies

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 0.00000

Scheda tecnica

Equivalente parametrico

PCDP0865G1_T0_00001

Panjit International Inc.

In magazzino: 1’995

Prezzo unitario : Fr. 2.91000

Scheda tecnica

Equivalente parametrico

UJ3D06508TS

onsemi

In magazzino: 27’243

Prezzo unitario : Fr. 3.29000

Scheda tecnica

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BSDH08G65E2
Codice DigiKey	118-BSDH08G65E2-ND
Produttore	Bourns Inc.
Codice produttore	BSDH08G65E2
Descrizione	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 8A Foro passante TO-220-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Bourns Inc.
Serie	BSD
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.7 V @ 8 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	40 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	267pF a 1V, 1MHz
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	TO-220-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	BSDH08G65

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