CGD65B200S2-T13
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CGD65B200S2-T13

Codice DigiKey
4768-CGD65B200S2-T13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
4768-CGD65B200S2-T13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
4768-CGD65B200S2-T13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Cambridge GaN Devices
Codice produttore
CGD65B200S2-T13
Descrizione
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
650 V 8,5 A (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Cambridge GaN Devices
Serie
ICeGaN™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
-
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
9V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs
280mohm a 600mA, 12V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 2,75mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.4 nC @ 12 V
Vgs (max)
+20V, -1V
Funzione FET
Rilevamento della corrente
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Product Questions and Answers

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In magazzino: 4’139
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.47000Fr. 4.47
10Fr. 2.98300Fr. 29.83
100Fr. 2.14020Fr. 214.02
500Fr. 2.08080Fr. 1’040.40
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 1.70000Fr. 8’500.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.47000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.83207
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