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Diodes Incorporated
In magazzino: 2’990
Prezzo unitario : Fr. 1.04000
Scheda tecnica
U-DFN2020-6
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DMC1029UFDB-13

Codice DigiKey
DMC1029UFDB-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMC1029UFDB-13
Descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 12V 5,6 A, 3,8 A 1,4W A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,6 A, 3,8 A
RDSon (max) a Id, Vgs
29mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19,6nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
914pF a 6V
Potenza - Max
1,4W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6 (tipo B)
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.21000Fr. 2’100.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.22701