
DMG6602SVTQ-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMG6602SVTQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG6602SVTQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG6602SVTQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMG6602SVTQ-7 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,4 A, 2,8 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 60mohm a 3,1 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400pF a 15V | |
Potenza - Max | 840mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Contenitore del fornitore | TSOT-26 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.41000 | Fr. 0.41 |
| 10 | Fr. 0.25300 | Fr. 2.53 |
| 100 | Fr. 0.16040 | Fr. 16.04 |
| 500 | Fr. 0.12048 | Fr. 60.24 |
| 1’000 | Fr. 0.10758 | Fr. 107.58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.07655 | Fr. 229.65 |
| 6’000 | Fr. 0.06840 | Fr. 410.40 |
| 9’000 | Fr. 0.06810 | Fr. 612.90 |
| 15’000 | Fr. 0.06775 | Fr. 1’016.25 |
| 21’000 | Fr. 0.06754 | Fr. 1’418.34 |
| 30’000 | Fr. 0.06633 | Fr. 1’989.90 |
| 75’000 | Fr. 0.06300 | Fr. 4’725.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.44321 |











