MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26
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DMG6602SVTQ-7

Codice DigiKey
DMG6602SVTQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
DMG6602SVTQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
DMG6602SVTQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
DMG6602SVTQ-7
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4 A, 2,8 A
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 3,1 A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400pF a 15V
Potenza - Max
840mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore
TSOT-26
Codice componente base
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In magazzino: 35’246
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.40000Fr. 0.40
10Fr. 0.24800Fr. 2.48
100Fr. 0.15740Fr. 15.74
500Fr. 0.11822Fr. 59.11
1’000Fr. 0.10556Fr. 105.56
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.08676Fr. 260.28
6’000Fr. 0.07889Fr. 473.34
9’000Fr. 0.07487Fr. 673.83
15’000Fr. 0.07036Fr. 1’055.40
21’000Fr. 0.06768Fr. 1’421.28
30’000Fr. 0.06508Fr. 1’952.40
75’000Fr. 0.06182Fr. 4’636.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.40000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.43240