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DMN2005UFGQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN2005UFGQ-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN2005UFGQ-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 18 A (Ta), 50 A (Tc) 1,05W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 164 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6495 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 1,05W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,6mohm a 13,5A, 4,5V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2005UFGQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN2005UFGQ-7DI-ND | Fr. 0.31338 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.37118 | Fr. 1’113.54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.37118 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.40125 |
