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DMT69M5LCG-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.24769
Scheda tecnica
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Canale N 60 V 14,6A (Ta), 52,1A (Tc) 1,37W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8 (tipo B)
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DMT69M5LCG-13

Codice DigiKey
31-DMT69M5LCG-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMT69M5LCG-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 14,6A (Ta), 52,1A (Tc) 1,37W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8 (tipo B)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14,6A (Ta), 52,1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,3mohm a 13,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1406 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,37W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
V-DFN3333-8 (tipo B)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.21170Fr. 635.10
6’000Fr. 0.19555Fr. 1’173.30
9’000Fr. 0.18732Fr. 1’685.88
15’000Fr. 0.18297Fr. 2’744.55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.21170
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.22885