Name: DMN2710UT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2710UT-7TR-ND
Price: 0.0632 CHF
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DMN2710UT-7
Codice DigiKey	31-DMN2710UT-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2710UT-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±6V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 42 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 870mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-523
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-523
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 600mA, 4,5V	Codice componente base DMN2710

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN2710UT-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN2710UT-13TR-ND	Fr. 0.04915	Equivalente parametrico
DMN2710UTQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN2710UTQ-13TR-ND	Fr. 0.05011	Equivalente parametrico
DMN2710UTQ-7	Diodes Incorporated	2’162	31-DMN2710UTQ-7CT-ND	Fr. 0.30000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.06320

DMN2710UT-7