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DMN2710UTQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN2710UTQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN2710UTQ-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.6 nC @ 4.5 V |
Produttore | Vgs (max) ±6V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 42 pF @ 16 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Contenitore del fornitore SOT-523 |
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 600mA, 4,5V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2710UT-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN2710UT-13TR-ND | Fr. 0.04915 | Equivalente parametrico |
| DMN2710UT-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN2710UT-7TR-ND | Fr. 0.05846 | Equivalente parametrico |
| DMN2710UTQ-7 | Diodes Incorporated | 2’162 | 31-DMN2710UTQ-7CT-ND | Fr. 0.30000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10’000 | Fr. 0.05011 | Fr. 501.10 |
| 20’000 | Fr. 0.04595 | Fr. 919.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.05011 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.05417 |
